11N90C TRANSISTOR MOSFET CANAL N 900V 11A FQA11N90C

Transistor MOSFET canal N que viene en empaque TO247. Este es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, rectificación, fuentes de comnutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-3PN-3

Polaridad del transistor: N-Channel

Número de canales: 1 Channel

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 900 V

Id - Corriente de drenaje continua: 11 A

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 1.4 Ohms

Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 30 V, + 30 V

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V

Qg - Carga de puerta: 80 nC

Temperatura de trabajo mínima: - 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Dp - Disipación de potencia : 300 W

Modo canal: Enhancement

Nombre comercial: QFET

Configuración: Single

Tiempo de caída: 85 ns

Tiempo de subida: 130 ns

Tiempo de retardo de apagado típico: 130 ns

Tiempo típico de demora de encendido: 60 ns

Referencia de producto: FQA11N90C

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.