FDA70N20 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 200V 70A TO220

Transistor MOSFET de alto voltaje basad en banda plana y tecnología DMOS. Este MOSFET está diseñado para reducir la resistencia en el estado y para proporcionar un mejor rendimiento de conmutación y una mayor potencia energética de avalancha. Esta familia de dispositivos es adecuada para cambiar aplicaciones de convertidor de potencia, como corrección de factor de potencia (PFC), pantalla plana de TV (FPD), potencia de TV, ATX y balastos de lámparas electrónicas, entre otros

CARACTERISTICAS:

R DS (encendido) = 35mO (Máx.) @ V GS = 10V, I D = 35A

Carga de puerta baja (Typ. 66nC)

Bajo C rss (Typ. 89pF)

Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Categoría de producto: MOSFET

Tecnología: Si

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-3PN-3

Número de canales: 1 Channel

Polaridad del transistor: N-Channel

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 200 V

Id - Corriente de drenaje continua: 70 A

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 35 mOhms

Vgs - Tensión entre puerta y fuente: 30 V

Temperatura de trabajo mínima: - 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Configuración: Single

Dp - Disipación de potencia : 417 W

Modo canal: Enhancement

Altura: 20.1 mm

Longitud: 16.2 mm

Serie: FDA70N20

Ancho: 5 mm

Tiempo de caída: 39 ns

Tiempo de subida: 235 ns

Tiempo de retardo de apagado típico: 65 ns

Tiempo típico de demora de encendido: 71 ns

Referencia de producto: FDA70N20 TO-3PN-3

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.