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IRFP460 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 500V 20A

MOSFET canal N de 500Voltios y 20 Amperios. Este es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.

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Descripción

IRFP460 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 500V 20A

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP460PBF es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.

 

CARACTERISTICAS:

Valor dinámico dV / dt

Avalancha repetitiva

Fácil de paralelo

Requisito de unidad simple

Agujero de montaje central aislado

Aplicaciones: Administración de Potencia

 

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Categoría de producto: MOSFET

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-247-3

Número de canales: 1 Channel

Polaridad del transistor: N-Channel

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 500 V

Id - Corriente de drenaje continua: 20 A

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 270 mOhms

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V

Vgs - Tensión entre puerta y fuente: 10 V

Qg - Carga de puerta: 210 nC

Temperatura de trabajo mínima: - 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Configuración: Single

Dp - Disipación de potencia : 280 W

Modo canal: Enhancement

Tipo de transistor: 1 N-Channel

Transconductancia hacia delante - Mín.: 13 S

Tiempo de caída: 58 ns

Tiempo de subida: 59 ns

Cantidad de empaque de fábrica: 500

Tiempo de retardo de apagado típico: 110 ns

Tiempo típico de demora de encendido: 18 ns

Referencia de producto: MOSFET IRFP460

ENLACES DE INTERES

Puede descargar la hoja de datos o datasheet AQUI.

Detalles del producto
IRFP460

Ficha técnica

TRANSISTOR
MOSFET N
Nuevo