RD15HVF1 TRANSISTOR PARA RF

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Descripción

RD15HVF1 TRANSISTOR PARA RF

RD15HVF1 es un transistor tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de alta potencia VHF / UHF. Alta potencia y alta ganancia: Pout> 15 W, Gp> 14 dB @ Vds = 12.5 V, f = 175 MHz Alta Eficiencia: 60% (típico) en la banda VHF Diodo de protección integrado de la puerta. Para etapa de salida de amplificadores de alta potencia en equipos de radio móvil de banda VHF / UHF.

CARACTERISTICAS:

Vdss Drene a la fuente de voltaje Vgs = 0V 30 V

Vgss Gate a voltaje de fuente Vds = 0V -5 a +10 V

Disipación del canal Pch Tc = 25 ° C 48 W

Potencia de entrada de pin Zg = Zl = 50 1.5 W

Ids Drain current - 4 A

Tch Temperatura del canal - 150 ° C

Temperatura de almacenamiento Tstg - -40 a +150 ° C

Rth j-c Unión de resistencia térmica a carcasa 2.6 ° C / W

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Referencia de producto: RD15HVF1

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